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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

RFD14N05SM9A 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-RFD14N05SM9A

#1

数量:31273
1+¥3.3131
25+¥3.082
100+¥3.0049
500+¥2.8508
1000+¥2.6967
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:2080
10+¥4.028
100+¥3.3155
500+¥3.249
1000+¥3.0685
2500+¥3.04
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:2480
10+¥4.028
100+¥3.3155
500+¥3.249
1000+¥3.0685
2500+¥3.04
最小起订量:10
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

RFD14N05SM9A产品详细规格

规格书 RFD14N05SM9A datasheet 规格书
RFD14N05SM9A datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 50V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 14A
Rds(最大)@ ID,VGS 100 mOhm @ 14A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 40nC @ 20V
输入电容(Ciss)@ Vds的 570pF @ 25V
功率 - 最大 48W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 50 V
最大连续漏极电流 14 A
RDS -于 100@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 14 ns
典型上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型下降时间 17 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 100@10V
最大漏源电压 50
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 48000
最大连续漏极电流 14
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
供应商设备封装 D-Pak
其他名称 RFD14N05SM9A-ND
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 100 mOhm @ 14A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 48W
漏极至源极电压(Vdss) 50V
输入电容(Ciss ) @ VDS 570pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 40nC @ 20V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
身高 2.39mm
长度 6.73mm
最大漏源电阻 0.1 Ω
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 48 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-252AA
典型栅极电荷@ VGS 40 nC V @ 20
典型输入电容@ VDS 570 pF V @ 25
宽度 6.22mm
工厂包装数量 2500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 14 A
封装/外壳 TO-252AA
零件号别名 RFD14N05SM9A_NL
下降时间 17 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.009184 oz
配置 Single
RoHS RoHS Compliant By Exemption
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 RFD14N05SM9A
RDS(ON) 100 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 48 W
上升时间 26 ns
漏源击穿电压 50 V
漏极电流(最大值) 14 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.1 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 50 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :14mA
Drain Source Voltage Vds :50V
On Resistance Rds(on) :100mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0.00001
Tariff No. 85412100
功耗 :48W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-252
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :14mA
工作温度范围 :-55°C to +175°C
端接类型 :SMD
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vds Typ :50V
Voltage Vgs Max :4V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
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